Диоды 2Д2998Б кремниевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шотки.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 10 до 200 кГц в низковольтных вторичных источниках электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 6 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.369 ТУ.
| Характеристики |
| Масса, г |
6 |
| Тип корпуса |
КД-11 |
