КТ850Б (NI)

Транзисторы КТ850Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. 

Предназначены для применения в усилителях мощности, переключающих устройствах. 

Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 2,5 г.

Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).

Технические условия: аА0.336.510 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ850Б:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 300 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 500 мкА (300В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 35 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом;

• tрас - Время рассасывания: не более 1500 нс