2П909Б(Ni)

Транзисторы 2П909Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа. 

Полевые транзисторы 2П909А, 2П909Б, 2П909В предназначены для применения в усилителях и генераторах с рабочей частотой до 400 МГц, а также в переключающих устройствах.

Транзистор 2П909В предназначен для работы в составе гибридных микросхем и используются без фланца.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 6 г.

Тип корпуса: КТ-18.

Технические условия: аА0.339.244 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П909Б:

• Структура транзистора: с изолированным затвором и  индуцированным n-каналом;

• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 60 Вт;

• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В;

• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 60 В;

• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В;

• Iс - Ток стока (постоянный): 4 А;

• S - Крутизна характеристики: 350... 1000 мА/В;

• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 6 пФ;

• С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 60 пФ