2Т919Б (Ni)
Транзисторы СВЧ 2Т919Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в СВЧ диапазоне 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным и цветовым кодом на корпусе транзистора.
Условное обозначение транзисторов:
- 2Т919А - буква «А» и зеленая точка,
- 2Т919Б - буква «Б» и черная точка,
- 2Т919В - буква «В» и белая точка.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т919Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1350 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,35 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 0,7 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (45В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6,5 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 1,6 Вт на частоте 2 ГГц;
