ban

!!! ВНИМАНИЕ: В связи с неустойчивым курсом валют, цены на товары могут меняться. Просим уточнять стоимость при заказе !!!

2ТС622Б

Артикул: 0013513

210.00 ₽


Цены на сайте указаны без НДС

В наличии

2ТС622Б

Транзисторные матрицы 2ТС622Б, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов.

Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в плоском металлостеклянном прямоугольном корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Корпус типа 401.14-6, масса не более 0,4 г.
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» И93.456.001ТУ;
  - приемка «ОС» И93.456.001ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС622Б:
• Структура транзисторной сборки: p-n-p;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 35 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (45В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25...150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,25 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 200 нс

Написать отзыв

Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст!
    Плохо           Хорошо
Captcha