Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шотки и каналом n-типа сверхвысокочастотные генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах на частотах до 8 ГГц в герметизированной аппаратуре.
Транзисторы 3П910А-2, 3П910Б-2 бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе.
Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя.
Транзисторы 3П910А-5, 3П910Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 1,5 г, кристалла не более 0,0003 г.
| Характеристики |
| Масса, г |
1,5 |
