Диод 3А539А арсенидогаллиевый, эпитаксиальный, с барьером Шотки, СВЧ, импульсный.
Предназначен для применения в импульсных устройствах наносекундного диапазона.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Положительный (анодный) вывод имеет косой срез на конце.
Тип диода приводится на групповой таре.
Масса диода не более 0,2 г.
| Характеристики |
| Масса, г |
0,2 |
| Минимальная наработка, час. |
25000 |
| Температурный диапазон, °С |
-60...+125°С |
