2Д120А2/СО(Ni)

Диоды 2Д120А2/СО кремниевые, планарно-диффузионные. 

Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. 

Технические условия: АЕЯР.432120.176ТУ, ПО.070.052 ТУ.

Тип корпуса: КД-3А.

Основные технические характеристики диода 2Д120А-2:

• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;

• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 100 В;

• Inp max - Максимальный прямой ток: 0,3 А;

• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 3 А;

• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 0,3 А;

• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц