2Д219А(Ni)

Диоды 2Д219А кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шотки. 

Предназначены для применения в низковольтных вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц. 

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. 

Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 8 г.

Тип корпуса: КД-11.

Технические условия: аА0.339.075 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д219А:

• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 15 В;

• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;

• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 250 А;

• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,6 В при Inp 10 А;

• fmax - Максимальная рабочая частота диода: 200 кГц