Диоды 2Д219Б кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шотки.
Предназначены для применения в низковольтных вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.075 ТУ.
Основные технические характеристики диода 2Д219Б:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 20 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 250 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,6 В при Inp 10 А;
• fmax - Максимальная рабочая частота диода: 200 кГц
| Характеристики |
| Масса, г |
8 |
| Температурный диапазон, °С |
-60...+125°С |
| Тип корпуса |
КД-11 |
