2Д222ЕС(Ni)

Диодные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шоттки и общим катодом. 

Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10...200 кГц. 

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами. 

Тип сборки приводятся на корпусе.

Масса сборки не более 6 г.

Тип корпуса: 4116.4-2.

Технические условия: аА0.339.327 ТУ.