2Д419Б(Ni)

Диоды 2Д419Б кремниевые с барьером Шотки. 

Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц. 

Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. 

Тип диода приводится на корпусе. 

Отрицательный вывод - со стороны кристалла.

Масса диода не более 0,035 г.

Тип корпуса: КД-1-2.

Технические условия: аА0.339.156 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д419Б:

• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;

• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 мА;

• fд - Рабочая частота диода: 400 мГц;

• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,4 В при Inp 1 мА;

• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;

• Сд - Общая емкость: 1,5 пФ