КД522Б(Ni)

Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные. 

Предназначены для применения в импульсных устройствах. 

Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. 

Для обозначения типа и полярности диодов используются условная маркировка черными кольцевыми полосами на корпусе со стороны положительного (анодного) вывода: 

 - КД522А - одной широкой и одной узкой полосой; 

 - КД522А - одной широкой и двумя узкими; 

 - КД522В - одной широкой и тремя узкими.

Масса диода не более 0,15 г.

Тип корпуса: КД-2.

Технические условия: дР3.362.029 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД522Б:

• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;

• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;

• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 100 мА;

• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2 мкА при Uoбp 50 В;

• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;

• Сд - Общая емкость: 4 пФ