2Д803АС9(Ni)

Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные наборы двух диодов.

2Д803АС9 предназначены для использования в быстродействующих импульсных схемах радиотехнических и электронных устройств. 

Маркируются буквами НС.

Тип корпуса: КД-46А.

Технические условия: аА0.339.471 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д803АС-9:

• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;

• Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;

• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 1500 мА;

• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 0,2 мА;

• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 50 В;

• Сд - Общая емкость: 4 пФ