2Д917А(Ni)

Диодные матрицы, состоящие из восьми кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с общим анодом. 

Предназначены для применения в импульсных быстродействующих переключающих схемах. 

Выпускаются в металлостеклянных (2Д917А, КД917А) и металлокерамических (2Д917А-1, КД917АМ) корпусах с гибкими выводами. 

Тип прибора приводится на корпусе. 

Вывод 1 матриц 2Д917А-1 маркируется точкой.

Масса матрицы не более 0,63 г.

Технические условия: дР3.362.027 ТУ, ПО.070.052 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д917А:

• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 40 В;

• Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;

• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 200 мА;

• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В;

• tвoc обр - Время обратного восстановления: 10 нс;

• Сд - Общая емкость: 40 пФ