Диодные матрицы, состоящие из восьми кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с общим анодом.
Предназначены для применения в импульсных быстродействующих переключающих схемах.
Выпускаются в металлостеклянных (2Д917А, КД917А) и металлокерамических (2Д917А-1, КД917АМ) корпусах с гибкими выводами.
Тип прибора приводится на корпусе.
Вывод 1 матриц 2Д917А-1 маркируется точкой.
Масса матрицы не более 0,63 г.
Технические условия: дР3.362.027 ТУ, ПО.070.052 ТУ.
Основные технические характеристики диода 2Д917А-1:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 40 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 200 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 10 нс;
• Сд - Общая емкость: 40 пФ
| Характеристики |
| Масса, г |
0,63 |
