2Д2998А(Ni)

Диоды 2Д2998А кремниевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шотки. 

Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 10 до 200 кГц в низковольтных вторичных источниках электропитания. 

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. 

Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 6 г.

Тип корпуса: КД-11.

Технические условия: аА0.339.369 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д2998А:

• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 15 В;

• Inp max - Максимальный прямой ток: 30 А;

• fд - Рабочая частота диода: 10... 200 кГц;

• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,6 В при Inp 30 А;

• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 20 мА при Uoбp 15 В