2Д2998Б(Ni)

Диоды 2Д2998Б кремниевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шотки. 

Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 10 до 200 кГц в низковольтных вторичных источниках электропитания. 

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. 

Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 6 г.

Тип корпуса: КД-11.

Технические условия: аА0.339.369 ТУ.