Картинка Картинка Картинка Картинка Картинка Картинка

2Д2999Б(Ni)

Артикул: 0009358

Цена по запросу

При покупке общей стоимостью от 8000 руб. мы доставим ваш заказ абсолютно бесплатно

В наличии

Диоды 2Д2999Б кремниевые, эпитаксиально-диффузионные. 

Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. 

Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами (металлическое основание корпуса соединено с отрицательным электродом). 

Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. 

Масса диода не более 4 г.

Тип корпуса: КД-23.

Технические условия: аА0.339.422 ТУ.


Основные технические характеристики диода 2Д2999Б:

• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;

• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 200 В;

• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 А;

• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 100 А;

• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц;

• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 20 А;

• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 200 мкА при Uoбp 200 В;

• tвoc обр - Время обратного восстановления: не более 0,2 мкс

Характеристики
Масса, г 4
Тип корпуса КД-23