2Т921А (NI)

Транзисторы 2Т921А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. 

Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения. 

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 6,5 г.

Тип корпуса: КТ-4.

Технические условия: ЖК3.365.254ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т921А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 12,5 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 90 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 65 В (0,1кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3,5 А;

• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 10 мА (70В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;

• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 8 дБ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 12,5 Вт на частоте 60 МГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 22 пс