2П303Д (NI)

Транзисторы 2П303Д кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 

Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением. 

Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. 

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Тип корпуса: КТ-1-12.

Технические условия: АЕЯР.432140.203 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П303Д:

• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;

• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;

• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В;

• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;

• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;

• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;

• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;

• Iс нач - Начальный ток стока: 3...9 мА;

• S - Крутизна характеристики: не менее 2,6 мА/В;

• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;

• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ;

• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 100 МГц