ban

2Т3129В9(Ni)

Артикул: 0008838

Цена по запросу


Цены на сайте указаны без НДС

В наличии

Транзисторы 2Т3129В9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. 

Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры. 

Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. 

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора не более 0,1 г.

Тип корпуса: КТ-46А.

Технические условия: аА0.339.568 ТУ.


Основные технические характеристики транзистора 2Т3129В-9:

• Структура транзистора: p-n-p

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 75 мВт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 80... 250;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ

Характеристики
Масса, г 0,1
Тип корпуса КТ-46А

Написать отзыв

Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст!
    Плохо           Хорошо
Captcha