2Т325В(Au)

Транзисторы 2Т325В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. 

Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. 

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 

Тип приборов 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В указывается на корпусе. 

Масса транзистора не более 1,2 г.

Тип корпуса: КТ-2-3.

Технические условия: СБ0.336.023 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т325В:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1000 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;

• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 160... 400;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 125 пс