2Т930А (NI)

Транзисторы 2Т930А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 

Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. 

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. 

Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 7 г.

Тип корпуса: КТ-32.

Технические условия: аА0.339.036 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т930А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 450 МГц;

• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,1кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А;

• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 20 мА (50В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ;

• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 400 МГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 8 пс