2Т960А (NI)

Транзисторы 2Т960А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 

Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 12,6 В. 

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. 

Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 7 г.

Тип корпуса: КТ-32.

Технические условия: аА0.339.157 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т960А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 70 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,01кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7 А;

• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 20 мА (36В);

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ;

• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2,5 дБ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 400 МГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 12,5 пс