Кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор, относящийся к серии средней мощности. Предназначен для работы в выходных каскадах усилителей низкой частоты (УНЧ), линейных стабилизаторах напряжения, ключевых схемах управления и других аналоговых устройствах. Отличается хорошим сочетанием рабочих токов, напряжений и надёжности, что сделало его одним из самых массовых и популярных транзисторов в отечественной и зарубежной аппаратуре (часто используется в паре с комплементарным n-p-n транзистором КТ816).
Основные технические характеристики:
Тип: Кремниевый, p-n-p.
Максимальный ток коллектора (Iк max): 3 А.
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ max): 45 В (индекс «Б»).
Максимальная мощность рассеяния (Pк max): 25 Вт (при температуре корпуса не выше +25°C и обязательной установке на радиатор площадью ~350 см²).
Коэффициент усиления по току (h21э): 20 - 80 (минимальное значение обычно не менее 20).
Граничная частота усиления (fгр): ~3 МГц.
Корпус: Пластиковый корпус КТ-26 (ТО-126), также известный как изолированный фланец. Фланец с отверстием для крепления к радиатору электрически соединён с коллектором (К).
Температурный диапазон: -65°C до +150°C (переход).
Назначение и применение:
Выходные каскады УНЧ класса AB (в паре с КТ816 или аналогичным).
Регулирующие элементы в линейных стабилизаторах напряжения (например, в блоках питания).
Усилители тока в схемах управления двигателями, реле, светодиодными лентами.
Ключевые схемы в устройствах автоматики и импульсной техники (в пределах частотных возможностей).
Ремонт бытовой и промышленной радиоэлектронной аппаратуры (усилители, телевизоры, источники питания).
