1N5819 (1А/25А-40В) диод шоттки

Диоды Шоттки 1N5817, 1N5818, 1N5819 – полупроводниковое устройство, обладающее низким падением напряжения при прямом включении. Барьером Шоттки служит металл-полупроводниковый переход, пропускающий электрическую цепь только в одном направлении.

Предельное прямое напряжения составляет от 0,45В до 0,60В, предельное обратное напряжение – от 20В до 40В. Средний прямой ток равен 1А, предельный обратный ток – 1мА. К основным преимуществам представленных диодов Шоттки 1N5817, 1N5818, 1N5819 следует отнести уменьшенное прямое падение напряжения (в сравнении с обычными диодами) и высокое быстродействие, что объясняется отсутствием инжекционной диффузии неосновных носителей заряда.

Цилиндрический корпус диодов (тип DO-41) выполнен из литого пластика, соответствующего стандартам горючести UL 94, спецификация V-0 – процесс горения прекращается через 10 с. На торцах корпуса размещены луженые вывода аксиального проволочного типа, полярные. Катодный вывод обозначается на корпусе круговой полоской. Также на корпусе указана краткая маркировка диода, выполненная нанесением краски.

Установка диодов Шоттки 1N5817, 1N5818, 1N5819 осуществляется с помощью пайки по THT-технологии – выводы монтируются непосредственно в сквозные отверстия печатной платы. Повышенная рабочая температура среды составляет не более +150°С, пониженная рабочая температура – не ниже -65°С, предельная температура процесса пайки (время до 10 с) – не выше +250°С.

Применяются диоды Шоттки 1N5817, 1N5818, 1N5819 в интегральной микроэлектронике (шунтируют переходы транзисторов), в импульсных высокочастотных выпрямителях, импульсных блоках питания аналоговой и цифровой аппаратуры, зарядных устройствах батарей, конверторах, детекторах нейтронного излучения, при сборке солнечных батарей, а также в качестве приёмников альфа и бета излучения.