2Д419А (Ni)
Диоды 2Д419А кремниевые, эпитаксиально-планарные, универсальные, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц.
Используются в радиотехнических и электронных устройствах специального назначения.
Выпускаются в стеклянном корпусе с разнонаправленными гибкими выводами.
Отрицательный вывод - со стороны кристалла.
Масса диода не более 0,035 г.
Основные технические характеристики диода 2Д419А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 15 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 400 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,4 В при Inp 1 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 15 В;
• Сд - Общая емкость: 1,5 пФ
