2ДС523ГМ (Ni)
Диодные матрицы, состоящие каждая из двух (2ДС523А, 2ДС523Б, 2ДС523АМ, 2ДС523БМ) или четырех (2ДС523В, 2ДС523Г, 2ДС523ВМ, 2ДС523ГМ) кремниевых, планарно-эпитаксиальных импульсных диодов, с раздельными выводами.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Основные технические характеристики диода 2ДС523ГМ:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 20 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 4 нс;
• Сд - Общая емкость: 2 пФ
