1Т308Б (Ni)
Транзисторы 1Т308Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p высокочастотные, импульсные.
Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,2 г
Основные технические характеристики транзистора 1Т308Б:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...120 (1В; 10мА);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В);
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс
