2П302Б (NI)

Транзисторы 2П302Б кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 

Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах  и других схемах аппаратуры специального назначения. 

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 1,5 г.

Тип корпуса для 2П302А, 2П302Б, 2П302В: КТ-2-12.

Тип корпуса для 2П302А1, 2П302Б1, 2П302В1: КТ-2-7.

Технические условия: АЕЯР.432140.535 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П302Б:

• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;

• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 300 мВт;

• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 5 В;

• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;

• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В;

• Iс - Ток стока (постоянный): 24 мА;

• Iс нач - Начальный ток стока: 3...24 мА;

• Iс ост - Остаточный ток стока: 6 мА;

• S - Крутизна характеристики: 5... 12 мА/В;

• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 20 пФ;

• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 8 пФ;

• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3 дБ на частоте 1 кГц;

• tвкл - Время включения транзистора: не более 4 нс;

• tвыкл - Время выключения транзистора: не более 5 нс;