Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Транзисторы 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: ЩЫ3.365.007 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т203В:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (15В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 30... 200;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: 25 Ом
| Характеристики |
| Масса, г |
0,5 |
| Тип корпуса |
КТ-1-7 |
