2Т3132А-2(Ni)

Транзисторы 2Т3132А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума. 

Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры. 

Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами. 

Транзистор 2Т3132А-5 выпускается в виде кристаллов без кристаллодержателя и без выводов. 

Тип прибора указывается в этикетке. 

Масса транзистора в держателе не более 0,2 г, кристалла - не более 0,002 г.

Тип корпуса: КТ-21.

Технические условия: аА0.339.300 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т3132А-2:

• Структура транзистора: n-p-n

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 70 мВт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5,5 ГГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (1кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8,5 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 15... 150;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5,5 пФ;

• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2,5 дБ на частоте 3,6 ГГц