Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шотки и каналом n-типа сверхвысокочастотные генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 12 ГГц в герметизированной аппаратуре.
Транзисторы 3П603А-2, 3П603Б-2, 3П603А1-2, 3П603Б1-2 бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе.
Тип прибора обозначается маркировочной точкой на крышке кристаллодержателя: красной для 3П603А-2, белой для 3П603Б-2, или на выводе истока: красной для 3П603А1-2, белой для 3П603Б1-2.
Транзисторы 3П603А-5, 3П603Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов
- 3П603А-2, 3П603Б-2 не более 0,2 г,
- 3П603А1-2, 3П603Б1-2 не более 0,15 г,
- 3П603А-5, 3П603Б-5 не более 0,0006 г.
Тип корпуса: КТ-75.
Технические условия: аА0.339.461 ТУ.
| Характеристики |
| Масса, г |
0,2 |
| Тип корпуса |
КТ-75 |
