КТ117Б (Ni)
Транзисторы КТ117Б кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа.
Предназначены для применения в маломощных генераторах, преобразователях.
Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,45 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ117Б:
• Структура транзистора: n-база
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fmax - Максимальная частота генерации: 0,2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 0,65... 0,9
