КТ325БМ(Ni)

Транзисторы КТ325БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. 

Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. 

Транзисторы КТ325АМ, КТ325БМ, КТ325ВМ выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами . 

На приборах в пластмассовом корпусе маркировка указывается в сокращенном виде: 325А, 325Б, 325В.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Тип корпуса: КТ-26.

Технические условия: СБ0.336.047ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ325БМ:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;

• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 70... 120;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 125 пс