КТ808БМ(Ni)

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.

Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. 

Корпус транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Масса транзисторов  не более 20 г.

Тип корпуса: КТ-9.

Технические условия: аА0.336.240 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ808БМ:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 70 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 8 мГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 (160 имп.) В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;

• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 2 мА (120В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 125;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,33 Ом