КТ815В(Ni)

Транзисторы КТ815В кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. 

Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. 

Корпус пластмассовый с жесткими выводами.

Масса транзистора не более 1 г.

Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126).

Технические условия: аА0.336.185 ТУ/02.

Основные технические характеристики транзистора КТ815В:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 70 В (0,1кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мА (40В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом