КТ818В(Ni)

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. 

Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 

Корпус пластмассовый с жесткими выводами.

Масса транзистора не более 2,5 г.

Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).

Технические условия: аА0.336.188 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ818В:

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 70 В (0,1кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,27 Ом