КТ819БМ(Ni)

Транзисторы КТ819БМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. 

Транзисторы КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 

Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Масса транзистора не более 20 г.

Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).

Технические условия: аА0.336.189 ТУ.

Транзисторы КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ также выпускаются в пластмассовом корпусе КТ-43 (ТО-218).

Основные технические характеристики транзистора КТ819БМ:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,1кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом