Транзисторы 2Т834А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.
Предназначены для применения в регуляторах тока и напряжения, в переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 22 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.339.209 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ834Б:
- Структура транзистора: n-p-n;
- Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
- fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
- Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 450В (0,1кОм);
- Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 8 В;
- Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
- Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
- Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (500В);
- h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 150... 3000;
- Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 100 пФ;
- Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,13 Ом
| Характеристики |
| Масса, г |
22 |
| Технические условия |
аА0.339.209 ТУ |
| Тип корпуса |
КТ-9 |
