Транзисторы КТ835А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.336.402 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ835А:
- Структура транзистора: p-n-p;
- Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;
- fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
- Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
- Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
- Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
- Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (30В);
- h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
- Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 800 пФ;
- Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,35 Ом
| Характеристики |
| Масса, г |
2.5 |
| Технические условия |
аА0.336.402 ТУ |
| Тип корпуса |
КТ-28 |
