КТ852В (NI)

Транзисторы КТ852В кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. 

Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 

Корпус пластмассовый с жесткими выводами.

Масса транзистора не более 2,5 г.

Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).

Основные технические характеристики транзистора КТ852В:

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (60В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 1000;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 28 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом;

• tвыкл - Время выключения: не более 2000 нс