КТ853Б (NI)

Транзисторы КТ853Б кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. 

Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 

Корпус пластмассовый с жесткими выводами.

Масса транзистора не более 2,5 г.

Тип корпуса: КТ-28-2 (ТО-220).

Технические условия: аА0.336.508 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ853Б:

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА (80В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,66 Ом;

• tвыкл - Время выключения:: не более 3300 нс