КТ854Б (NI)

Транзисторы КТ854Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. 

Предназначены для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. 

Корпус пластмассовый с жесткими выводами.

Масса транзистора не более 2,5 г.

Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).

Технические условия: аА0.336.509 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ854Б:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 400 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (400В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом