КТ857А (NI)

Транзистор КТ857А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. 

Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. 

Корпус пластмассовый с жесткими выводами.

Масса транзистора не более 3 г.

Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).

Технические условия: аА0.336.552 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ857А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 250 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (250В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 7,5;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,33 Ом;

• tрас - Время рассасывания: не более 2500 нс