ban

2ДС523ГМ (Ni)

Артикул: 0013975

30.00 ₽


Цены на сайте указаны без НДС

В наличии

2ДС523ГМ (Ni)

Диодные матрицы, состоящие каждая из двух (2ДС523А, 2ДС523Б, 2ДС523АМ, 2ДС523БМ) или четырех (2ДС523В, 2ДС523Г, 2ДС523ВМ, 2ДС523ГМ) кремниевых, планарно-эпитаксиальных импульсных диодов, с раздельными выводами.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Основные технические характеристики диода 2ДС523ГМ:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 20 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 4 нс;
• Сд - Общая емкость: 2 пФ

Написать отзыв

Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст!
    Плохо           Хорошо
Captcha