Микросхемы 159НТ101Б представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Масса не более 1,3 г.
Корпус типа 3101.8-8.01.
Технические условия: АЕЯР.431410.455 ТУ.
Предельно допустимые режимы эксплуатации 159НТ101Б:
- Напряжение коллектор-база .......... 20 В
- Напряжение эмиттер-база .......... 4 В
- Напряжение между транзисторами .......... 20 В
- Ток коллектора постоянный .......... 10 мА
- Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) .......... 40 мА
- Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С) .......... 50 мВт
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет;
- в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет;
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру ( в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.
| Характеристики |
| Масса, г |
1,3 |
| Тип корпуса |
3101.8-8.01 |
