Картинка Картинка Картинка Картинка Картинка Картинка

2П307Г (NI)

Артикул: 0009180

Цена по запросу

При покупке общей стоимостью от 8000 руб. мы доставим ваш заказ абсолютно бесплатно

В наличии

Транзисторы 2П307Г кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 

Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.

Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Тип корпуса: КТ-1-12.

Технические условия: Ц23.365.008 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П307Г:

• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;

• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт;

• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1,5... 6 В;

• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;

• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;

• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;

• Iс - Ток стока (постоянный): 30 мА

• Iс нач - Начальный ток стока: не более 6 мА;

• S - Крутизна характеристики: 6... 12 мА/В (10В);

• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;

• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ;

• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 400 МГц

Характеристики
Масса, г 0,5
Технические условия Ц23.365.008 ТУ
Тип корпуса КТ-1-12