2Т3120А(Au)

Транзисторы 2Т3120А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.

Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот. 

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. 

Тип прибора указывается в этикетке. 

На крышке корпуса наносится условная маркировка цветными точками: 

  - 2Т3120А - одна белая; 

  - КТ3120А - две белые.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Тип корпуса: КТ-14.

Технические условия: аА0.339.111 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т3120А:

• Структура транзистора: n-p-n

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1800 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 40;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 8 пс